KVVP2-22控制電纜中銅帶屏蔽工藝
屏蔽所用的銅帶須***是韌煉充分的軟銅帶，兩邊不允許有卷邊或裂口等缺陷。銅帶太硬會割破外半導(dǎo)電層，太軟也容易發(fā)皺。繞包時，繞包頭角度要調(diào)好，包帶張力控制適當(dāng),避免張力過緊。因電纜通電時，絕緣會發(fā)熱而有所膨脹，若銅帶繞的太緊話,有可能造成銅帶嵌入絕緣屏蔽，或繃斷銅帶。屏蔽機(jī)收線盤的兩側(cè)應(yīng)用軟質(zhì)材料襯墊，否則,容易造成兩側(cè)銅帶在本道或下道工序軋傷，嚴(yán)重時，破裂銅帶會刺入外屏蔽乃至絕緣,造成擊穿。銅帶接頭應(yīng)采用點(diǎn)焊，不宜采用錫焊,更不能采用插接或膠帶粘結(jié)或其他的一些等不規(guī)范操作。
銅帶搭蓋繞包形式，在電纜運(yùn)行時金屬屏蔽層間由于其接觸面產(chǎn)生氧化物，以及彎曲冷熱變形后減少了接觸壓力，會造成接觸電阻成倍增加，影響短路電流的容量和短路電流的導(dǎo)通。接觸不佳再加上熱脹冷縮彎曲變形，將會直接損傷外半導(dǎo)電層。銅帶金屬屏蔽應(yīng)與半導(dǎo)電層緊密接觸，使之良好接地，但由于過熱膨脹會導(dǎo)致銅帶弓形膨脹變形以及半導(dǎo)電層損傷，所有的這些情況造成的不佳接地均會使電纜局放性能下降。
如果銅帶屏蔽層斷裂或銅帶接頭處焊接不佳導(dǎo)致斷裂，則有可能從銅帶屏蔽層非接地端流向接地端的充電電流會在銅帶屏蔽層斷裂處強(qiáng)行通過外半導(dǎo)電層流過，該處外半導(dǎo)電層發(fā)熱，溫度上升。此時溫度會很高，使銅帶屏蔽層斷裂處的外半導(dǎo)電層急劇老化。如果上述狀態(tài)持續(xù)繼續(xù)發(fā)展，外半導(dǎo)電層的電阻進(jìn)一步增大，在銅帶屏蔽層斷裂處，銅帶屏蔽層非接地端與接地端之間產(chǎn)生的電位差的作用下，產(chǎn)生的放電現(xiàn)象進(jìn)一步加速電纜從絕緣體表層開始老化。因此，在銅帶屏蔽層斷裂后，其斷裂處電纜絕緣會在較短時間內(nèi)產(chǎn)生老化，直至絕緣破壞。由此可見銅帶屏蔽工藝在中壓電纜生產(chǎn)過程中也是相當(dāng)重要的。
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